7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60

7A MODE MODIEMENTO N-Canale N 600 V Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi Vdmosfet migliorati dal canale N di silicio, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce il

Perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e migliora l'energia valanga. Che accorda con lo standard ROHS.

2 caratteristiche

● commutazione rapida

● ESD Capacità migliorata

● Resistenza bassa (RDSON≤1,3Ω)

● CAGGIO DI GATE basso (tip: 24NC)

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 5.5pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di adattatore e caricabatterie.