7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60

7A 600 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kadu, parandada lülitusjõudlust ja suurendada laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤1,3Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 24 nC)

● Madal vastupidine ülekandemahtuvus (tüüp: 5,5 pF)

● 100% ühe impulsi laviini energiatest

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
600V	1,0 Ω	7A