värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 7n60/f7n60/i7n60/e7n60/b7n60/d7n60

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60

7A 600 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET
saadavus:
kogus:

7A 600V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET

1 kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud VDMOSFETS saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kaotus, parandage vahetamise jõudlust ja parandab laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

2 funktsiooni

● Kiire vahetamine

● ESD täiustatud võimekus

● Madal takistus (RDSON≤1,3Ω)

● Madal väravalaeng (tüüp: 24NC)

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 5,5PF)

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test

3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates.

● Adapteri ja laadija toitelüliti vooluring.


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
600 V 1,0Ω 7a


Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti