gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 400V-1500V N MOS D7N60 7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

7N60/F7N60/I7N60/E7N60/B7N60/D7N60

7A 600V N-kanal Förbättringsläge Power MOSFET
tillgänglighet:
Kvantitet:

7A 600V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa kisel N-kanal förbättrade VDMoSfets erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar

Ledningsförlust, förbättra växlingsprestanda och förbättra lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner

● Snabbbrytning

● ESD förbättrad förmåga

● Låg motstånd (RDSON≤1,3Ω)

● Låg grindavgift (typ: 24NC)

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 5.5pf)

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

● Strömbrytare för adapter och laddare.


Vds Rds (on) (typ) Id
600V 1,0Ω 7a


Tidigare: 
Nästa: 
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg