7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60

7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս սիլիկոնային N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է

հաղորդունակության կորուստ, բարելավել անջատման կատարումը և բարձրացնել ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում

● ESD բարելավված կարողություն

● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤1.3Ω)

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 24nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 5,5 pF)

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
600 Վ	1.0Ω	7Ա