7N60/F7N60/I7N60/ E7N60/B7N60/D7N60

7A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä silikoni-N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasotekniikan avulla, joka vähentää

johtavuushäviö, parantaa kytkentätehoa ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni ON-vastus (Rdson≤1,3Ω)

● Matala porttilataus (Tyyppi: 24nC)

● Matalat paluusiirtokapasitanssit (tyyppi: 5,5 pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

● Sovittimen ja laturin virtakytkin.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
600V	1.0Ω	7A