puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » IGBT » 1200V-1700V » G50N120D

cargando

Compartir con:
botón para compartir facebook
botón para compartir en twitter
botón para compartir línea
botón para compartir wechat
botón para compartir en linkedin
botón para compartir en pinterest
boton compartir whatsapp
comparte este botón para compartir

G50N120D

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop 50A 1200V
Disponibilidad:
Cantidad:

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 50A 1200V

1 Descripción

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología Fieldstop y de zanja y proporcionaron una excelente

Vcesat y velocidad de conmutación, carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Vcesat bajo

● Cargo de puerta bajo

● Excelente velocidad de conmutación

● Fácil capacidad de conexión en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vcesat

● Tsc≥10μs

● Diodo antiparalelo de corriente completa de recuperación rápida

3 aplicaciones

● Soldadura

● SAI

● Inversor de tres niveles

Tipo VCE ic Vcesat,Tj=25℃ Tjmax Paquete
G50N120D 1200V 50A 1,9 V 150℃ A-264


Anterior: 
Próximo: 
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada