未命名 (1) (8) (1)
دروازه
شرکت نیمه هادی Jiangsu Donghai ، Ltd
شما اینجا هستید: خانه » محصولات » igbt » 1200V-1700V » G50N120D

بار

به اشتراک گذاشتن به:
دکمه اشتراک گذاری فیس بوک
دکمه اشتراک گذاری توییتر
دکمه به اشتراک گذاری خط
دکمه اشتراک گذاری WeChat
دکمه اشتراک گذاری LinkedIn
دکمه اشتراک گذاری Pinterest
دکمه اشتراک گذاری WhatsApp
دکمه اشتراک گذاری Sharethis

G50N120D

50A ترانزیستور دو قطبی عایق کاری شده با عایق ترانسفورماتور
عایق بندی شده:
کمیت:
پرسیدن به سبد اضافه کنید

ترانزیستور دو قطبی گیت عایق 50a 1200V عایق بندی شده

1 توضیحات

این ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق از طراحی پیشرفته سنگر و طراحی فناوری Fieldstop استفاده کردند ، عالی

VCESAT و سرعت سوئیچینگ ، شارژ پایین دروازه. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.

2 ویژگی

● پایین vcesat

legh شارژ پایین دروازه

speed سرعت سوئیچینگ عالی

ability توانایی موازی آسان به دلیل ضریب دمای مثبت در VCESAT

● TSC≥10μs

● بازیابی سریع دیود ضد موازی جریان کامل

3 برنامه

● جوشکاری

● یو پی اس

اینورتر سه گل

نوع وسیع کیهان vcesat ، tj = 25 ℃ tjmax بسته بندی کردن
G50N120D 1200 ولت 50a 1.9 ولت 150 به سال 264


قبلی: 
بعدی: 
G50N120D
  • شرکت نیمه هادی Jiangsu Donghai ، Ltd
  • برای خبرنامه ما ثبت نام کنید
  • برای در آینده برای خبرنامه ما آماده شوید تا مستقیماً به صندوق ورودی خود بروزرسانی شود
    ثبت نام
    ارسال کردن
کپی رایت © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. ، Ltd Technology by Leadong.com