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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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5N50/F5N50/B5N50/D5N50

5A 500V Modo de mejora del canal de potencia
Disponibilidad MOSFET:
Cantidad:

5a 500V MODO DE ENCANTA MODIA DE MEDIACIÓN DEL CANAL

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el

Estándar ROHS.

2 características

● Cambio rápido

● ESD mejoró la capacidad

● Baja de resistencia (rdson≤1.6Ω)

● Baja carga de puerta (típ: 12.6nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 4pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de alimentación para el sistema

miniaturización y mayor eficiencia.

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
500V 1.4Ω 5A


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