5N50/F5N50/B5N50/D5N50

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 5A y 500 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual concuerda con el

Estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido

● Capacidad mejorada de ESD

● Baja resistencia (Rdson≤1.6Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 12,6 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 4pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para el sistema.

Miniaturización y mayor eficiencia.

● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
500V	1,4Ω	5A