5N50/F5N50/B5N50/D5N50

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 5 A 500 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui s'accorde avec le

Norme RoHS.

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Capacité améliorée ESD

● Faible résistance (Rdson≤1,6Ω)

● Faible charge de grille (type : 12,6 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (Typ : 4pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

3 candidatures

● Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour le système

miniaturisation et efficacité accrue.

● Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
500V	1,4Ω	5A