Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
5A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. Hangi
ROHS Standardı.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (RDSON≤1.6Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 12.6nc)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 4pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır
minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik.
● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
500V | 1.4Ω | 5a |
5A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. Hangi
ROHS Standardı.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (RDSON≤1.6Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 12.6nc)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 4pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır
minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik.
● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
500V | 1.4Ω | 5a |