5N50/F5N50/B5N50/D5N50

5A 500V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. Hangisi şuna uygundur

RoHS standardı.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi

● Düşük direnç (Rdson≤1,6Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 12,6nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip:4pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistem için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır

minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik.

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
500V	1.4Ω	5A