Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
5a 500V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a
ROHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,6Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 12.6NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 4PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● A rendszer különböző teljesítményváltó áramkörében használják
miniatürizálás és nagyobb hatékonyság.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 1,4Ω | 5A |
5a 500V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a
ROHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,6Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 12.6NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 4PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● A rendszer különböző teljesítményváltó áramkörében használják
miniatürizálás és nagyobb hatékonyság.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 1,4Ω | 5A |