5A 500V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami összhangban van a
RoHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,6Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 12,6 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 4pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● A rendszer különféle teljesítménykapcsoló áramköreiben használható
miniatürizálás és nagyobb hatékonyság.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 500V |
1,4Ω |
5A |