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5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。と一致します
ROHS標準。
2つの機能
●高速スイッチング
●ESDは機能を改善しました
●抵抗が少ない(RDSON≤1.6Ω)
●低ゲートチャージ(typ:12.6nc)
●低い逆転送容量(typ:4pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●システム用のさまざまな電源スイッチング回路で使用
小型化とより高い効率。
●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | rds(on)(typ) | id |
500V | 1.4Ω | 5a |
5A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。と一致します
ROHS標準。
2つの機能
●高速スイッチング
●ESDは機能を改善しました
●抵抗が少ない(RDSON≤1.6Ω)
●低ゲートチャージ(typ:12.6nc)
●低い逆転送容量(typ:4pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●システム用のさまざまな電源スイッチング回路で使用
小型化とより高い効率。
●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。
VDSS | rds(on)(typ) | id |
500V | 1.4Ω | 5a |