Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
5A 500V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Που συμφωνεί με το
Πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤1,6Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 12.6NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 4PF)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για σύστημα
Μινιατούρα και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
500V | 1.4Ω | 5α |
5A 500V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Που συμφωνεί με το
Πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤1,6Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 12.6NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 4PF)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για σύστημα
Μινιατούρα και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
500V | 1.4Ω | 5α |