5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în acord cu
Standard RoHS.
2 Caracteristici
● Comutare rapidă
● Capacitate îmbunătățită ESD
● Rezistență scăzută (Rdson≤1,6Ω)
● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 12,6 nC)
● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 4pF)
● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test 100% ΔVDS
3 Aplicații
● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru sistem
miniaturizare și eficiență mai mare.
● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.
| VDSS |
RDS(activat)(TYP) |
ID |
| 500V |
1,4Ω |
5A |