Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 5N50/F5N50/B5N50/D5N50

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniei
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

5N50/F5N50/B5N50/D5N50

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Disponibilitate:
Cantitate:

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în acord cu

Standard RoHS.

2 Caracteristici

● Comutare rapidă

● Capacitate îmbunătățită ESD

● Rezistență scăzută (Rdson≤1,6Ω)

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 12,6 nC)

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 4pF)

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test 100% ΔVDS

3 Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru sistem

miniaturizare și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.

VDSS RDS(activat)(TYP) ID
500V 1,4Ω 5A


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail