5N50/F5N50/B5N50/D5N50

5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ຊຶ່ງ​ອີງ​ຕາມ​ການ

ມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.6Ω)

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 12.6nC)

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 4pF)

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ

miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ.

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
500V	1.4Ω	5A