840/F840/I840/E840/B840/D840

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 8A y 500 V

1 Descripción

Estos, los vdmosfets mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce

La pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual concuerda con el

Estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia (Rdson≤0.9Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 24 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 7pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
500V	0,7Ω	8A