Disponibilidad MOSFET: | |
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Cantidad: | |
8A 500V MODO MODANTE DE MEDIA DE MEDIACIÓN DEL CANAL
1 descripción
Estos, el canal de silicio N-canal mejorado VDMOSFETS, se obtiene mediante la tecnología plana autoalineada que reduce
la pérdida de conducción, mejorar el rendimiento del cambio y mejorar la energía de avalancha. Que concuerda con el
Estándar ROHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja de resistencia (rdson≤0.9Ω)
● Baja carga de puerta (típ: 24 nc)
● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 7pf)
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de encendido de adaptador y cargador.
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
500V | 0.7Ω | 8A |
8A 500V MODO MODANTE DE MEDIA DE MEDIACIÓN DEL CANAL
1 descripción
Estos, el canal de silicio N-canal mejorado VDMOSFETS, se obtiene mediante la tecnología plana autoalineada que reduce
la pérdida de conducción, mejorar el rendimiento del cambio y mejorar la energía de avalancha. Que concuerda con el
Estándar ROHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja de resistencia (rdson≤0.9Ω)
● Baja carga de puerta (típ: 24 nc)
● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 7pf)
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de encendido de adaptador y cargador.
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
500V | 0.7Ω | 8A |