8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga ito, ang silicon N-channel na pinahusay na vdmosfets, ay nakuha ng self-aligned planar technology na nagpapababa ng
ang pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang pagganap ng paglipat at pagbutihin ang enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa
Pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na paglipat
● Mababa ang resistensya (Rdson≤0.9Ω)
● Mababang gate charge(Typ: 24nC)
● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 7pF)
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng adapter at charger.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 500V |
0.7Ω |
8A |