Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
8A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bunlar, Silikon N-Kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir.
İletim kaybı, anahtarlama performansını iyileştirir ve çığ enerjisini artırır. Hangi
ROHS Standardı.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük (RDSON≤0.9Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 24NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 7pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
500V | 0.7Ω | 8a |
8A 500V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bunlar, Silikon N-Kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir.
İletim kaybı, anahtarlama performansını iyileştirir ve çığ enerjisini artırır. Hangi
ROHS Standardı.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük (RDSON≤0.9Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 24NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 7pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
500V | 0.7Ω | 8a |