Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
8a 500V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket a Szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti
A vezetési veszteség, javítja a váltási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a
ROHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,9Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 7PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 0,7Ω | 8a |
8a 500V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket a Szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti
A vezetési veszteség, javítja a váltási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a
ROHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (rdson≤0,9Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 7PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
500 V -os | 0,7Ω | 8a |