8A 500V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló sík technológiával nyerjük, amely csökkenti
a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami összhangban van a
RoHS szabvány.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,9Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 7pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Az adapter és a töltő tápkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 500V |
0,7Ω |
8A |