8A 500V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET
1 Opis
Ovi, silicijski N-kanalni poboljšani vdmosfeti, dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje
gubitak vodljivosti, poboljšati performanse prebacivanja i povećati energiju lavine. Što je u skladu s
RoHS standard.
2 Značajke
● Brzo prebacivanje
● Nizak otpor (Rdson≤0,9Ω)
● Nizak naboj vrata (tip: 24 nC)
● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 7pF)
● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa
● 100% ΔVDS test
3 Prijave
● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.
● Strujni krug adaptera i punjača.
| VDSS |
RDS(uključen)(TYP) |
ID |
| 500V |
0,7Ω |
8A |