840/F840/I840/E840/B840/D840

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 8A 500V

1 Descrição

Estes, os vdmosfets aprimorados de canal N de silício, são obtidos pela tecnologia planar auto-alinhada que reduz

a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o

Padrão RoHS.

2 recursos

● Troca rápida

● Baixa resistência (Rdson≤0,9Ω)

● Carga de porta baixa (Tipo: 24nC)

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 7pF)

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100%

3 aplicações

● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
500 V	0,7Ω	8A