840/F840/i840/E840/B840/D840

8a 500V N-canal Modo de aprimoramento de energia MOSFET

1 Descrição

Estes, o VDMOSFETs aprimorados do Silicon N-Channel, é obtido pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz

A perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o

ROHS Standard.

2 recursos

● Comutação rápida

● Baixa resistência (rdson≤0,9Ω)

● Carga baixa do portão (Tip: 24NC)

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 7pf)

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS

3 aplicações

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador.