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Bipolarer Transistor von 5A 1200V Trenchstop Isoliertes Tor
Beschreibung1
Mit dem proprietären Grabendesign und der fortschrittlichen FS -Technologie von Donghai bietet der 1200 -V -FS -IGBT eine überlegene Leitung und Umschaltleistungen, hohe Lawinen -Robus und einfacher paralleler Betrieb.
Merkmale:
FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient
Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 2,1 V @ IC = 75A und TJ = 25 ° C
Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit
Anwendungen:
Wechselrichter von Schweißen, UPS, dreistöckiger Wechselrichter
Typ | VCE | IC | Vcesat, tj = 25 ℃ | Tjmax | Paket |
DGC75F120M2 | 1200V | 75a | 2.1V | 175 ℃ | To-247plus |
Bipolarer Transistor von 5A 1200V Trenchstop Isoliertes Tor
Beschreibung1
Mit dem proprietären Grabendesign und der fortschrittlichen FS -Technologie von Donghai bietet der 1200 -V -FS -IGBT eine überlegene Leitung und Umschaltleistungen, hohe Lawinen -Robus und einfacher paralleler Betrieb.
Merkmale:
FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient
Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 2,1 V @ IC = 75A und TJ = 25 ° C
Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit
Anwendungen:
Wechselrichter von Schweißen, UPS, dreistöckiger Wechselrichter
Typ | VCE | IC | Vcesat, tj = 25 ℃ | Tjmax | Paket |
DGC75F120M2 | 1200V | 75a | 2.1V | 175 ℃ | To-247plus |