Gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Home » Mga produkto » IGBT » 1200V-1700V » DGC75F120M2

Naglo -load

Ibahagi sa:
Button sa Pagbabahagi ng Facebook
Button sa Pagbabahagi ng Twitter
Button sa Pagbabahagi ng Linya
Button ng Pagbabahagi ng WeChat
Button sa Pagbabahagi ng LinkedIn
Button ng Pagbabahagi ng Pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
Button ng Pagbabahagi ng Sharethis

DGC75F120M2

75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor
Availability:
Dami:

75A 1200V trenchstop insulated gate bipolar transistor

Paglalarawan1 

Gamit ang proprietary trench design ng Donghai at advanced na teknolohiya ng FS, ang 1200V FS IGBT ay nag -aalok ng mahusay na pagpapadaloy at paglipat ng mga pagtatanghal, mataas na avalanche ruggedness at madaling kahanay na operasyon.

Mga Tampok :

 Teknolohiya ng FS Trench, koepisyent ng positibong temperatura

 Mababang boltahe ng saturation: vce (sat), typ = 2.1v @ ic = 75a at tj = 25 ° C

 Sobrang pinahusay na kakayahan ng avalanche

Application :

Welding, UPS, Three-Level Inverter

I -type

Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ TJMax Package
DGC75F120M2 1200V 75a 2.1v 175 ℃ TO-247PLUS


Nakaraan: 
Susunod: 
  • Mag -sign up para sa aming newsletter
  • Maghanda para sa hinaharap
    na pag -sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update nang diretso sa iyong inbox