DGC75F120M2

75a 1200V траншестоп Оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы

Сипаттама1 

Донхайдың меншікті траншея жобалауы мен жетілдірілген FS технологиясын қолдана отырып, 1200V FS IGBT жоғары деңгейлі қойылымдар, жоғары көшкін және параллельді пайдалануды ұсынады.

Ерекше өзгешеліктері:

 FS траншеясы технологиясы, оң температура коэффициенті

 Қанықталған кернеудің төмен кернеуі: VCE (SAT), TYP = 2.1V @ ic = 75a және tj = 25 ° C

 Өте жетілдірілген көшкіннің мүмкіндігі

Өтініштер:

Дәнекерлеу, UPS, үш деңгейлі инвертор