Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 75A 1200V
Descripción1
Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 1200 V ofrece rendimientos de conmutación y conducción superiores, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.
Características:
Tecnología de trinchera FS, coeficiente de temperatura positivo
Voltaje de baja saturación: VCE(sat), typ = 2.1V @ IC =75A y Tj = 25°C
Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Aplicaciones:
Soldadura, UPS, Inversor de tres niveles
Tipo |
Vce |
ic |
Vcesat,Tj=25℃ |
Tjmax |
Paquete |
| DGC75F120M2 |
1200V |
75A |
2,1 V |
175℃ |
TO-247PLUS |