geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT » 1200V-1700V » dgc75f120m2

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

DGC75F120M2

75A 1200V Trenchstop Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör
Kullanılabilirliği:
Miktar:

75A 1200V Trenchstop Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör

Açıklama1 

Donghai'nin tescilli hendek tasarımı ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 1200V FS IGBT, üstün iletim ve anahtarlama performansları, yüksek çığ sağlamlığı ve kolay paralel çalışma sunuyor.

Özellikler:

 FS hendek teknolojisi, pozitif sıcaklık katsayısı

 Düşük doygunluk voltajı: VCE (SAT), tip = 2.1V @ ic = 75a ve tj = 25 ° C

 Son derece gelişmiş çığ yeteneği

Uygulamalar :

Kaynak, UPS, üç seviyeli invertör

Tip

VCE İc VCCEAT, TJ = 25 ℃ Tjmax Paketi
DGC75F120M2 1200V 75a 2.1V 175 ℃ -247plus


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun