brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » IGBT » 1200V-1700V » DGC75F120M2

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

DGC75F120M2

75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Tranzistor
Dostupnost:
Množství:

Bipolární tranzistor s izolovanou bránou 75A 1200V Trenchstop

Popis1 

Díky patentovanému designu Trench společnosti DongHai a pokročilé technologii FS nabízí 1200V FS IGBT vynikající vodivostní a spínací výkony, vysokou lavinovou odolnost a snadný paralelní provoz.

Vlastnosti:

 FS Trench Technology, Kladný teplotní koeficient

 Nízké saturační napětí: VCE(sat), typ = 2,1V @ IC =75A a Tj = 25°C

 Extrémně zvýšená lavinová schopnost

Aplikace:

Svařování, UPS, tříúrovňový invertor

Typ

Vce Ic Vcesat,Tj=25℃ Tjmax Balík
DGC75F120M2 1200V 75A 2,1 V 175 ℃ TO-247PLUS


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky