Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Trenchstop 75A 1200V
Deskripsi1
Menggunakan desain Trench milik DongHai dan teknologi FS canggih, IGBT FS 1200V menawarkan kinerja konduksi dan peralihan yang unggul, ketangguhan longsoran salju yang tinggi, dan pengoperasian paralel yang mudah.
Fitur:
Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif
Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 2.1V @ IC =75A dan Tj = 25°C
Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan
Aplikasi:
Pengelasan, UPS, Inverter Tiga Tingkat
Jenis |
Wakil |
Ic |
Vcesat,Tj=25℃ |
Tjmax |
Kemasan |
| DGC75F120M2 |
1200V |
75A |
2.1V |
175℃ |
TO-247PLUS |