gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » IGBT » 1200V-1700V » DGC75F120M2

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

DGC75F120M2

75A 1200V trenchstop isolerad grind bipolär transistor
Tillgänglighet:
Kvantitet:

75A 1200V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor

Beskrivning1 

Med hjälp av DongHais egenutvecklade Trench-design och avancerade FS-teknik, erbjuder 1200V FS IGBT överlägsen lednings- och switchprestanda, hög lavinstabilitet och enkel parallelldrift.

Drag:

 FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient

 Låg mättnadsspänning: VCE(sat), typ = 2,1V @ IC =75A och Tj = 25°C

 Extremt förbättrad lavinkapacitet

Applikationer:

Svetsning, UPS, Tre-nivå växelriktare

Typ

Vce Ic Vcesat,Tj=25℃ Tjmax Paket
DGC75F120M2 1200V 75A 2,1V 175 ℃ TO-247PLUS


Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg