10A, 600 V: n ultrasiodiodit niillä on alhainen eteenpäin suuntautuva jännitepisara ja ne ovat tasomaisia, piinitridiä passiivisia, ionisimplantoituja, epitaksiaalisia rakenteita.
10A, 600 V: n ultrasiodiodit niillä on alhainen eteenpäin suuntautuva jännitepisara ja ne ovat tasomaisia, piinitridiä passiivisia, ionisimplantoituja, epitaksiaalisia rakenteita. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja tasasuuntaajina monissa kytkentävirtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa. Niiden matala varastoitu varaus ja erittäin pitkäaikainen talteenotto pehmeillä talteenottoominaisuuksilla minimoi rengasta ja sähkömelua monissa virrankytkentäpiirissä, mikä vähentää kytkentätransistorin TO-220F: n tehonhäviöitä, jotka ovat 2000 V RMS: n nopeudella kaikista kolmesta napista ulkoiseen jäähdytyslaitteeseen.
2 ominaisuutta
Matala tehon menetys,
korkea hyötysuhde alhainen eteenpäinjännite,
Korkea virrankyvy suuri lisäyskyky
Erittäin nopea palautumisajat
korkeajännite
3 sovellusta
Virtalähteen kytkentä
Virrankytkentäpiirit
Vbr
VF (yksi) (max)
If (av) (yksi)
600 V
1,6 V
10a
10A 600 V nopea palautus diodi
1 Kuvaus
10A, 600 V: n ultrasiodiodit niillä on alhainen eteenpäin suuntautuva jännitepisara ja ne ovat tasomaisia, piinitridiä passiivisia, ionisimplantoituja, epitaksiaalisia rakenteita. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja tasasuuntaajina monissa kytkentävirtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa. Niiden matala varastoitu varaus ja erittäin pitkäaikainen talteenotto pehmeillä talteenottoominaisuuksilla minimoi rengasta ja sähkömelua monissa virrankytkentäpiirissä, mikä vähentää kytkentätransistorin TO-220F: n tehonhäviöitä, jotka ovat 2000 V RMS: n nopeudella kaikista kolmesta napista ulkoiseen jäähdytyslaitteeseen.
