N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 30 V DHD100N03 TO-252B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 30 V

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Batteriemanagement 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
30V	3,3 mΩ	100A