πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 30V
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 30V


1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρων, παρείχαν εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.


2 Χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%.


3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Διαχείριση μπαταρίας 

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● Ηλεκτρονικά αυτοκινήτων


VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
30V 3,3 mΩ 100Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας