未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS N -kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.


2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test


3 applikationer 

● Power Switching -applikationer

● Batterihantering 

● Strömverktyg 

● Automotive Electronics


Vds Rds (on) (typ) Id
30V 3,3 mΩ 100a


Tidigare: 
Nästa: 
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com