N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 100A 30V

1 Beskrivning 

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.

2 funktioner 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Snabb växling 

● Låga omvända överföringskapacitanser 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test

3 Applikationer 

● Strömväxlingsapplikationer

● Batterihantering 

● Elverktyg 

● Bilelektronik

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
30V	3,3 mΩ	100A