N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 100A 30V

1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer 

● Power Switching -applikationer

● Batterihantering 

● Strömverktyg 

● Automotive Electronics

Vds	Rds (on) (typ)	Id
30V	3,3 mΩ	100a