Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 100A 30V DHD100N03 a 252B

Modo de mejora de canal N potencia MOSFET 100A 30V

1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.

2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Gestión de la batería 

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (ON) (typ)	IDENTIFICACIÓN
30V	3.3mΩ	100A