13N90

Mode d'amélioration du canal N. 900V MOSFET MOSFET

1 Description

Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui s'accorde avec les Rohs

standard. 

2 caractéristiques

● Commutation rapide

● Capacité améliorée ESD

● Faible en résistance (RDSON≤0,75Ω)

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS

3 applications

 Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.

 Circuit d'interrupteur d'alimentation du ballast d'électrons et de l'adaptateur.