دستیابی: | |
---|---|
مقدار: | |
13A 900V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے
معیار
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
● ESD میں بہتری کی صلاحیت
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.75ω)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (TYP) | ID |
900V | 0.61Ω | 13A |
13A 900V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے
معیار
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
● ESD میں بہتری کی صلاحیت
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.75ω)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (TYP) | ID |
900V | 0.61Ω | 13A |