13N90

13 A 900 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was mit der RoHS übereinstimmt

Standard. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,75Ω)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

 Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

 Stromschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
900V	0,61 Ω	13A