13A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan RoHS
standard.
2 Ciri
● Penukaran pantas
● ESD meningkatkan keupayaan
● Rintangan rendah (Rdson≤0.75Ω)
● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal
● 100% ujian ΔVDS
3 Aplikasi
Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 900V |
0.61Ω |
13A |