50A 200V MOSFET POWER N-CANNEL F50N20

50a 200v Mode d'amélioration du canal N MOSFET

1 Description

Le F50N20, le VDMOSFETS amélioré en silicium N sur les canaux N, est obtenu par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.

2 caractéristiques

● Commutation rapide 

● Faible de résistance (RDSON≤51mΩ) 

● Charge de porte basse (Typ: 49.4nc) 

● Capacités de transfert inverse faibles (Typ: 34pf) 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 

3 applications 

● Alimentations d'alimentation en mode commutateur à haute efficacité. 

● Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur. 

● UPS

● onduleur