50 А, 200 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
F50N20, кремниевые N-канальные усовершенствованные vdmosfets, изготовлены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию. Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Быстрое переключение
● Низкое сопротивление (Rdson≤51 мОм).
● Низкий заряд затвора (тип: 49,4 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (тип: 34 пФ).
● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом
● 100 % ΔVDS-тест.
3 приложения
● Высокоэффективные импульсные источники питания.
● Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.
● ИБП
● Инвертор
| ВДСС |
RDS(включен)(ТИП) |
ИДЕНТИФИКАТОР |
| 200В |
42мОм |
50А |