50A 200V N-channel เพาเวอร์มอสเฟต F50N20

50A 200V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

F50N20 ซึ่งเป็น vdmosfets ที่ปรับปรุงช่อง N-channel ของซิลิคอน ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤51mΩ) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 49.4nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 34pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● แหล่งจ่ายไฟสลับโหมดประสิทธิภาพสูง 

● วงจรสวิตช์ไฟของอะแดปเตอร์และอุปกรณ์ชาร์จ 

● ยูพีเอส

● อินเวอร์เตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
200V	42mΩ	50เอ