MOSFET de potencia de canal N 50A 200V F50N20

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 50 A y 200 V

1 Descripción

F50N20, el vdmosfets mejorado de canal N de silicio, se obtiene mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia (Rdson≤51mΩ) 

● Carga de puerta baja (tipo: 49,4 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 34 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia. 

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador. 

● SAI

● Inversor

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
200V	42mΩ	50A