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数量: | |
F50N20
WXDH
F50N20
TO-220F
200V
50a
50A 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
シリコンNチャネル強化VDMOSFETSであるF50N20は、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●高速スイッチング
●抵抗が少ない(rdson≤51mΩ)
●低ゲートチャージ(typ:49.4nc)
●低い逆転送容量(typ:34pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●高効率スイッチモード電源。
●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
●UPS
●インバーター
VDSS | rds(on)(タイプ) | ID |
200V | 42mΩ | 50a |
50A 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
シリコンNチャネル強化VDMOSFETSであるF50N20は、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●高速スイッチング
●抵抗が少ない(rdson≤51mΩ)
●低ゲートチャージ(typ:49.4nc)
●低い逆転送容量(typ:34pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●高効率スイッチモード電源。
●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
●UPS
●インバーター
VDSS | rds(on)(タイプ) | ID |
200V | 42mΩ | 50a |