MOSFET de potência de canal N 50A 200V F50N20

50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição

F50N20, os vdmosfets aprimorados de canal N de silício, são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS.

2 recursos

● Troca rápida 

● Baixa resistência (Rdson≤51mΩ) 

● Carga de porta baixa (Tipo: 49,4nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 34pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações 

● Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência. 

● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador. 

● UPS

● Inversor

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
200 V	42mΩ	50A