Disponibilidade MOSFET: | |
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Quantidade: | |
F50N20
Wxdh
F50N20
TO-220F
200V
50a
50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
O F50N20, o VDMOSFETs aprimorado do canal N silicone, é obtido pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● Baixa resistência (Rdson≤51mΩ)
● Carga baixa do portão (Tip: 49.4NC)
● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 34pf)
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Fontes de alimentação do modo de alta eficiência.
● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador.
● UPS
● Inversor
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
200V | 42mΩ | 50a |
50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
O F50N20, o VDMOSFETs aprimorado do canal N silicone, é obtido pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● Baixa resistência (Rdson≤51mΩ)
● Carga baixa do portão (Tip: 49.4NC)
● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 34pf)
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Fontes de alimentação do modo de alta eficiência.
● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador.
● UPS
● Inversor
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
200V | 42mΩ | 50a |