50A 200V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Silikon N-kanalı geliştirilmiş vdmosfetler olan F50N20, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç (Rdson≤51mΩ)
● Düşük geçit şarjı (Tip: 49,4nC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 34pF)
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Yüksek verimli anahtar modlu güç kaynakları.
● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.
● UPS
● İnvertör
| VDSS |
RDS(açık)(TYP) |
İD |
| 200V |
42mΩ |
50A |