| Наявність: | |
|---|---|
| Кількість: | |
F50N20
WXDH
F50N20
ТО-220Ф
200В
50А
50A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
F50N20, кремнієвий vdmosfet з N-каналом, отриманий за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤51mΩ)
● Низький заряд затвора (тип: 49,4 нКл)
● Низька зворотна ємність передачі (тип: 34 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Високоефективні імпульсні джерела живлення.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
● ДБЖ
● Інвертор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 200В | 42 мОм | 50А |
50A 200V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
F50N20, кремнієвий vdmosfet з N-каналом, отриманий за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤51mΩ)
● Низький заряд затвора (тип: 49,4 нКл)
● Низька зворотна ємність передачі (тип: 34 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Високоефективні імпульсні джерела живлення.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
● ДБЖ
● Інвертор
| VDSS | RDS (увімкнено) (TYP) | ID |
| 200В | 42 мОм | 50А |




