50A 200 V N-Kanal-Power MOSFET F50N20

50A 200 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

F50N20, das Silicon N-Kanal verbesserte VDMOSFETs, wird von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 51MΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 49.4nc) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 34PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Hocheffizienz -Schaltmodus -Netzteile. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät. 

● ups

● Wechselrichter