50 A 200 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET F50N20

50 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

F50N20, der Silizium-N-Kanal-verstärkte VDMOSFET, wird durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤51mΩ) 

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 49,4 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 34 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Hocheffiziente Schaltnetzteile. 

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät. 

● USV

● Wechselrichter

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
200V	42mΩ	50A