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 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 130 A 100 V DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
Diode de récupération rapide 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A Description du produit MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 25A 100V 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A Spécification de l'appareil 25N10.pdf
Diode de récupération rapide 60A 600V MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A Description du produit MUR6060NCT.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A, 30V, 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Fiche_V1.0.pdf
MOSFET de puissance F8N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 8A 600V F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
Diode SchottkyBarrier 30A 200V HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A Description du produit HMBR30200CT.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A DH100P30D_Fiche technique_V1.0+.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 174A, 85V, DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Spécification de l'appareil DHS030N88.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A Fichier MBR10200CT pour REV-1.1.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Spécifications de l'appareil DH100P20.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 45a, 100V, DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A DHS160N100D_Fiche technique_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 96A 40V DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 180 A 135 V DSG052N14N TO-220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100 V/12 mΩ/60 A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A DSD150N10L3&DSB150N10L3_Fiche technique_V1.0.pdf
Module onduleur NPC à 3 niveaux, module IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Affectation des broches 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
MOSFET de puissance F16N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 16A, 600V F16N60

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