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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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96a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH030N03P DFN5X6

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:

96a 30v Mode d'amélioration du canal N MOSFET


1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie des tranchées, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● Faible de résistance

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation

● Système de gestion de l'onduleur

● outils électriques

● Electronique automobile


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
30V 3,1mΩ 96a


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