Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 68 А, 100 В ДХ140Н10Д ТО-252Б 100В 68А DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
130 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХС037Н10/ ДХС037Н10Ф/ДХС037Н10Е
16А 400В Диод быстрого восстановления MURF1640CT TO-220F MURF1640CT ТО-220Ф 400В 16А 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 25N10 TO-220C 25Н10 ТО-220С 100В 25А Спецификация устройства 25Н10.pdf
60А 600В Диод быстрого восстановления MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT ТО-3ПН 600В 60А 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
100 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30Х10К ТО-252Б 30 В 100А 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
8А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F8N60 TO-220F Ф8Н60 ТО-220Ф 600В 8А 英文版F8N60技术规格书.pdf
30А 200В Диод Шоттки с барьером HMBR30200CT TO-220C ХМБР30200CT ТО-220С 200В 30А 英文版HMBR30200CT 技术规格书.pdf
-100В/33мОм/-35А P-MOSFET DH100P30D TO-252B ДХ100П30Д ТО-252Б -100В -35А DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
174A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E ТО-263 85В 174А Спецификация устройства DHS030N88.pdf
ШотткиБарьерДиод 10А 200В MBR10200CT TO-220M МБР10200CT ТО-220М 200В 10А 英文版MBR10200CT 技术规格书REV-1.1.pdf
-100В/33мОм/-35А P-MOSFET DH100P30D TO-252B ДХ100П20Д ТО-252Б -100В -20А Спецификация устройства DH100P20.pdf
45А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS160N100D TO-252B ДХС160Н100Д ТО-252Б 100В 45А DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
96 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N04P DFN5X6 ДХ033Н04П DFN5X6 40В 96А DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
180 А, 135 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДСГ052Н14Н ТО-220С 135 В 180А DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100 В/12 мОм/60 А N-МОП-транзистор ДСД150Н10Л3 ТО-252Б 100В 60А DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
3-уровневый инверторный модуль NPC Модуль IGBT DGQ450C65M2T ДГК450К65М2Т Назначение выводов 650В 270А DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT ТО-247С MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 ДХ019Н04П
16А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F16N60 TO-220F Ф16Н60

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com