未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
100 В/5,2 МОм/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 В 95а DSP070N10L3A_DATASHEET_V1.0.PDF
200 В/11 МОм/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA До-220c 200 В 110a DSG108N20NA_DATASHEET_V1.0.PDF
10A 30 В P-канал режим улучшения мощности MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 В 10а Устройство DH160P03V Спецификация Rev.1.0.pdf
110a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH065N06D до 252B DH065N06D До 252b 60 В 110a DH065N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
20A 60V SchottkybarrierDiode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT До-220f 60 В 20А 英文版 MBRF2060CT 技术规格书 .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F До-220f 100 В 110a Устройство DHS052N10 Specification.pdf
20A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS400N10D до 252B DHS400N10D До 252b 100 В 20А DHS400N10D_DATASHEET_V2.0 .pdf
4A 650V N-канальный режим улучшения мощности Mosfet B4N65 до 251B B4N65 До 251b 650 В. 4а 英文版 B4n65x 技术规格书 x (1) .pdf
170a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
10A 400V Диод быстрого восстановления MUR1040 до 220-2L MUR1040 До-220-2L 400 В. 10а 英文版 mur1040 技术规格书 .pdf
P-Channel Режим режима мощности MOSFET 12A 60 В DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 В 12A Устройство DH500P06R Спецификация Rev.1.0.pdf
75A 100 В P-канала режима режима мощности DH100P70 До-220c 100 В 80A Устройство DH100P70 Specification.pdf
P-Channel Mode Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB До 251b 100 В 30A
20a 100v Schottkybarrierdiode Mbr20100ct to-252 MJD122 До 252 100 В 5A 英文版 tip122mjd122 技术规格书 .pdf
1200V/16Mω/110A SIC MOSFET DCCF016M120G3 до-247-4L DCCF016M120G3 До-247-4L 1200 В. 110a DCCF016M120G3_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E До 263 100 В 110a Устройство DHS052N10 Specification.pdf
100a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K До 252b 30 В 100А 30H10YAF_DATASHEET_V1.0.PDF
68A 1200V N-канальный SIC Power MOSFET DCC040M170G2 До 247-3 1700В 67а DCC040M170G2_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
36A 1200 В n-канал SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 До 247 1700В 37а DCC080M170G2_DATASHEET_V1.0.PDF
30A 100V Schottky Diode To-220F MBRF30100CT MBRF30100CT До-220f 100 В 30A 英文版 MBRF30100CT 技术规格书 Rev1.1.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com